Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
RFD3055SM9A

RFD3055SM9A

MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Číslo dílu
RFD3055SM9A
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
TO-252AA
Ztráta energie (max.)
53W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
150 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50975 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova RFD3055SM9A
RFD3055SM9A Elektronické komponenty
RFD3055SM9A Odbyt
RFD3055SM9A Dodavatel
RFD3055SM9A Distributor
RFD3055SM9A Datová tabulka
RFD3055SM9A Fotky
RFD3055SM9A Cena
RFD3055SM9A Nabídka
RFD3055SM9A Nejnižší cena
RFD3055SM9A Vyhledávání
RFD3055SM9A Nákup
RFD3055SM9A Chip