Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
RFD3055

RFD3055

MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
Číslo dílu
RFD3055
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-251AA
Ztráta energie (max.)
53W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
150 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27124 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova RFD3055
RFD3055 Elektronické komponenty
RFD3055 Odbyt
RFD3055 Dodavatel
RFD3055 Distributor
RFD3055 Datová tabulka
RFD3055 Fotky
RFD3055 Cena
RFD3055 Nabídka
RFD3055 Nejnižší cena
RFD3055 Vyhledávání
RFD3055 Nákup
RFD3055 Chip