Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
RFD3055SM

RFD3055SM

MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Číslo dílu
RFD3055SM
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
TO-252AA
Ztráta energie (max.)
53W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
150 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12839 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova RFD3055SM
RFD3055SM Elektronické komponenty
RFD3055SM Odbyt
RFD3055SM Dodavatel
RFD3055SM Distributor
RFD3055SM Datová tabulka
RFD3055SM Fotky
RFD3055SM Cena
RFD3055SM Nabídka
RFD3055SM Nejnižší cena
RFD3055SM Vyhledávání
RFD3055SM Nákup
RFD3055SM Chip