Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
RFD3055LE

RFD3055LE

MOSFET N-CH 60V 11A I-PAK
Číslo dílu
RFD3055LE
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-251AA
Ztráta energie (max.)
38W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
107 mOhm @ 8A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
11.3nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48555 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova RFD3055LE
RFD3055LE Elektronické komponenty
RFD3055LE Odbyt
RFD3055LE Dodavatel
RFD3055LE Distributor
RFD3055LE Datová tabulka
RFD3055LE Fotky
RFD3055LE Cena
RFD3055LE Nabídka
RFD3055LE Nejnižší cena
RFD3055LE Vyhledávání
RFD3055LE Nákup
RFD3055LE Chip