Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
RFD3055LESM9A

RFD3055LESM9A

MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA
Číslo dílu
RFD3055LESM9A
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
TO-252AA
Ztráta energie (max.)
38W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
107 mOhm @ 8A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
11.3nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50601 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova RFD3055LESM9A
RFD3055LESM9A Elektronické komponenty
RFD3055LESM9A Odbyt
RFD3055LESM9A Dodavatel
RFD3055LESM9A Distributor
RFD3055LESM9A Datová tabulka
RFD3055LESM9A Fotky
RFD3055LESM9A Cena
RFD3055LESM9A Nabídka
RFD3055LESM9A Nejnižší cena
RFD3055LESM9A Vyhledávání
RFD3055LESM9A Nákup
RFD3055LESM9A Chip