Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
RFD12N06RLE
MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
Číslo dílu
RFD12N06RLE
Výrobce/značka
Série
UltraFET™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-251AA
Ztráta energie (max.)
40W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
63 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
485pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 17017 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RFD12N06RLE
RFD12N06RLE Elektronické komponenty
RFD12N06RLE Odbyt
RFD12N06RLE Dodavatel
RFD12N06RLE Distributor
RFD12N06RLE Datová tabulka
RFD12N06RLE Fotky
RFD12N06RLE Cena
RFD12N06RLE Nabídka
RFD12N06RLE Nejnižší cena
RFD12N06RLE Vyhledávání
RFD12N06RLE Nákup
RFD12N06RLE Chip