Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
RFD14N05LSM
MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA
Číslo dílu
RFD14N05LSM
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
TO-252AA
Ztráta energie (max.)
48W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
50V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
100 mOhm @ 14A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
670pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
VGS (max.)
±10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 28441 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RFD14N05LSM
RFD14N05LSM Elektronické komponenty
RFD14N05LSM Odbyt
RFD14N05LSM Dodavatel
RFD14N05LSM Distributor
RFD14N05LSM Datová tabulka
RFD14N05LSM Fotky
RFD14N05LSM Cena
RFD14N05LSM Nabídka
RFD14N05LSM Nejnižší cena
RFD14N05LSM Vyhledávání
RFD14N05LSM Nákup
RFD14N05LSM Chip