Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
RFD10P03LSM
MOSFET P-CH 30V 10A TO-252AA
Číslo dílu
RFD10P03LSM
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
TO-252-3
Ztráta energie (max.)
-
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
200 mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1035pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
-
VGS (max.)
-
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25074 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RFD10P03LSM
RFD10P03LSM Elektronické komponenty
RFD10P03LSM Odbyt
RFD10P03LSM Dodavatel
RFD10P03LSM Distributor
RFD10P03LSM Datová tabulka
RFD10P03LSM Fotky
RFD10P03LSM Cena
RFD10P03LSM Nabídka
RFD10P03LSM Nejnižší cena
RFD10P03LSM Vyhledávání
RFD10P03LSM Nákup
RFD10P03LSM Chip