RFD12N06RLESM9A
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Číslo dílu
RFD12N06RLESM9A
Výrobce/značka
Série
UltraFET™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
TO-252AA
Ztráta energie (max.)
49W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
63 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
485pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 6165 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RFD12N06RLESM9A
RFD12N06RLESM9A Elektronické komponenty
RFD12N06RLESM9A Odbyt
RFD12N06RLESM9A Dodavatel
RFD12N06RLESM9A Distributor
RFD12N06RLESM9A Datová tabulka
RFD12N06RLESM9A Fotky
RFD12N06RLESM9A Cena
RFD12N06RLESM9A Nabídka
RFD12N06RLESM9A Nejnižší cena
RFD12N06RLESM9A Vyhledávání
RFD12N06RLESM9A Nákup
RFD12N06RLESM9A Chip