Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
RFD16N06LESM9A
MOSFET N-CH 60V 16A DPAK
Číslo dílu
RFD16N06LESM9A
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
TO-252AA
Ztráta energie (max.)
90W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
47 mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
62nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1350pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
VGS (max.)
+10V, -8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 34121 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RFD16N06LESM9A
RFD16N06LESM9A Elektronické komponenty
RFD16N06LESM9A Odbyt
RFD16N06LESM9A Dodavatel
RFD16N06LESM9A Distributor
RFD16N06LESM9A Datová tabulka
RFD16N06LESM9A Fotky
RFD16N06LESM9A Cena
RFD16N06LESM9A Nabídka
RFD16N06LESM9A Nejnižší cena
RFD16N06LESM9A Vyhledávání
RFD16N06LESM9A Nákup
RFD16N06LESM9A Chip