Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
RFD16N05
MOSFET N-CH 50V 16A I-PAK
Číslo dílu
RFD16N05
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-251AA
Ztráta energie (max.)
72W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
50V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
47 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
80nC @ 20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
900pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50274 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RFD16N05
RFD16N05 Elektronické komponenty
RFD16N05 Odbyt
RFD16N05 Dodavatel
RFD16N05 Distributor
RFD16N05 Datová tabulka
RFD16N05 Fotky
RFD16N05 Cena
RFD16N05 Nabídka
RFD16N05 Nejnižší cena
RFD16N05 Vyhledávání
RFD16N05 Nákup
RFD16N05 Chip