RFD14N05LSM9A
MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA
Číslo dílu
RFD14N05LSM9A
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
TO-252AA
Ztráta energie (max.)
48W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
50V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
100 mOhm @ 14A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
670pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
VGS (max.)
±10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 32625 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RFD14N05LSM9A
RFD14N05LSM9A Elektronické komponenty
RFD14N05LSM9A Odbyt
RFD14N05LSM9A Dodavatel
RFD14N05LSM9A Distributor
RFD14N05LSM9A Datová tabulka
RFD14N05LSM9A Fotky
RFD14N05LSM9A Cena
RFD14N05LSM9A Nabídka
RFD14N05LSM9A Nejnižší cena
RFD14N05LSM9A Vyhledávání
RFD14N05LSM9A Nákup
RFD14N05LSM9A Chip