onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDN86501LZ N-Channel 60V 2.6A N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench MOSFET, 60 V, 2.6 A, 116 mΩ

FDN86501LZ

N-Channel 60V 2.6A N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench MOSFET, 60 V, 2.6 A, 116 mΩ
Číslo dílu
FDN86501LZ
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SSOT-3
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
This N-channel MOSFET is produced using the advanced PowerTrench process incorporating shielded gate technology. This process is optimized for rDS(on), switching performance and robustness.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 64069 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
FDN8601 N-Channel 100V 2.7A N-Channel, PowerTrench MOSFET, 100V, 2.7A, 109mΩ
FDN8601
N-Channel 100V 2.7A N-Channel, PowerTrench MOSFET, 100V, 2.7A, 109mΩ
onsemi (Ansemi)
FDN86246 FDN86246
FDN86246
FDN86246
JSMSEMI (Jiesheng Micro)
FDN86246 N-Channel 150V 1.6A N-Channel, Power Trench MOSFET, 150V, 1.6A, 261mΩ
FDN86246
N-Channel 150V 1.6A N-Channel, Power Trench MOSFET, 150V, 1.6A, 261mΩ
onsemi (Ansemi)
FDN86265P P-channel 150V 800mA P-channel, PowerTrench MOSFET, -150V, -0.8A, 1.2Ω
FDN86265P
P-channel 150V 800mA P-channel, PowerTrench MOSFET, -150V, -0.8A, 1.2Ω
onsemi (Ansemi)
FDN86501LZ N-Channel 60V 2.6A N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench MOSFET, 60 V, 2.6 A, 116 mΩ
FDN86501LZ
N-Channel 60V 2.6A N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench MOSFET, 60 V, 2.6 A, 116 mΩ
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova FDN86501LZ
FDN86501LZ Elektronické komponenty
FDN86501LZ Odbyt
FDN86501LZ Dodavatel
FDN86501LZ Distributor
FDN86501LZ Datová tabulka
FDN86501LZ Fotky
FDN86501LZ Cena
FDN86501LZ Nabídka
FDN86501LZ Nejnižší cena
FDN86501LZ Vyhledávání
FDN86501LZ Nákup
FDN86501LZ Chip