onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDN86246
N-Channel 150V 1.6A N-Channel, Power Trench MOSFET, 150V, 1.6A, 261mΩ
Číslo dílu
FDN86246
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SSOT-3
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
This N-channel MOSFET is produced using an advanced Power Trench process optimized for rDS(on), switching performance and robustness.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 89449 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
N-Channel 60V 2.6A N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench MOSFET, 60 V, 2.6 A, 116 mΩ
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova FDN86246
FDN86246 Elektronické komponenty
FDN86246 Odbyt
FDN86246 Dodavatel
FDN86246 Distributor
FDN86246 Datová tabulka
FDN86246 Fotky
FDN86246 Cena
FDN86246 Nabídka
FDN86246 Nejnižší cena
FDN86246 Vyhledávání
FDN86246 Nákup
FDN86246 Chip