onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDN86265P P-channel 150V 800mA P-channel, PowerTrench MOSFET, -150V, -0.8A, 1.2Ω

FDN86265P

P-channel 150V 800mA P-channel, PowerTrench MOSFET, -150V, -0.8A, 1.2Ω
Číslo dílu
FDN86265P
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SSOT-3
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
This P-channel MOSFET is produced using an advanced PowerTrench process optimized to minimize on-resistance while maintaining excellent switching performance.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 60895 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
FDN8601 N-Channel 100V 2.7A N-Channel, PowerTrench MOSFET, 100V, 2.7A, 109mΩ
FDN8601
N-Channel 100V 2.7A N-Channel, PowerTrench MOSFET, 100V, 2.7A, 109mΩ
onsemi (Ansemi)
FDN86246 FDN86246
FDN86246
FDN86246
JSMSEMI (Jiesheng Micro)
FDN86246 N-Channel 150V 1.6A N-Channel, Power Trench MOSFET, 150V, 1.6A, 261mΩ
FDN86246
N-Channel 150V 1.6A N-Channel, Power Trench MOSFET, 150V, 1.6A, 261mΩ
onsemi (Ansemi)
FDN86265P P-channel 150V 800mA P-channel, PowerTrench MOSFET, -150V, -0.8A, 1.2Ω
FDN86265P
P-channel 150V 800mA P-channel, PowerTrench MOSFET, -150V, -0.8A, 1.2Ω
onsemi (Ansemi)
FDN86501LZ N-Channel 60V 2.6A N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench MOSFET, 60 V, 2.6 A, 116 mΩ
FDN86501LZ
N-Channel 60V 2.6A N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench MOSFET, 60 V, 2.6 A, 116 mΩ
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova FDN86265P
FDN86265P Elektronické komponenty
FDN86265P Odbyt
FDN86265P Dodavatel
FDN86265P Distributor
FDN86265P Datová tabulka
FDN86265P Fotky
FDN86265P Cena
FDN86265P Nabídka
FDN86265P Nejnižší cena
FDN86265P Vyhledávání
FDN86265P Nákup
FDN86265P Chip