onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDN8601
N-Channel 100V 2.7A N-Channel, PowerTrench MOSFET, 100V, 2.7A, 109mΩ
Číslo dílu
FDN8601
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SSOT-3
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
This N-channel MOSFET is produced using an advanced Power Trench process optimized for rDS(on), switching performance and robustness.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 86483 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
N-Channel 60V 2.6A N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench MOSFET, 60 V, 2.6 A, 116 mΩ
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova FDN8601
FDN8601 Elektronické komponenty
FDN8601 Odbyt
FDN8601 Dodavatel
FDN8601 Distributor
FDN8601 Datová tabulka
FDN8601 Fotky
FDN8601 Cena
FDN8601 Nabídka
FDN8601 Nejnižší cena
FDN8601 Vyhledávání
FDN8601 Nákup
FDN8601 Chip