AGM-Semi (core control source)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
AGM085N10D AGM085N10D

AGM085N10D

AGM085N10D
Číslo dílu
AGM085N10D
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
AGM-Semi (core control source)
Encapsulation
TO-252
Balení
taping
Počet balíků
2500
Popis
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 100V Continuous Drain Current (Id): 80A Power (Pd): 78W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 8.0mΩ@10V,20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.0V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 36.5nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 1.978nF@50V , Vds=100V Id=80A Rds=8.0mΩ, Working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51245 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova AGM085N10D
AGM085N10D Elektronické komponenty
AGM085N10D Odbyt
AGM085N10D Dodavatel
AGM085N10D Distributor
AGM085N10D Datová tabulka
AGM085N10D Fotky
AGM085N10D Cena
AGM085N10D Nabídka
AGM085N10D Nejnižší cena
AGM085N10D Vyhledávání
AGM085N10D Nákup
AGM085N10D Chip