Koupit AGM-Semi (core control source) AGM038N10A AGM038N10A

AGM-Semi (core control source)

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

AGM038N10A

Číslo dílu

AGM038N10A

Kategorie

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

Výrobce/značka

AGM-Semi (core control source)

Encapsulation

DFN5x6

Balení

taping

Počet balíků

3000

Popis

Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 100V Continuous Drain Current (Id): 120A Power (Pd): 147W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 3.8mΩ@10V,40A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.8V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 67nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 4.739nF@50V, Vds=100V Id=120A Rds=3.8mΩ, working Temperature: -55℃~+150℃@(Tj) DFN5*6encapsulation;

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 58265 PCS

Kontaktní informace