AGM-Semi (core control source)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
AGM042N10D AGM042N10D

AGM042N10D

AGM042N10D
Číslo dílu
AGM042N10D
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
AGM-Semi (core control source)
Encapsulation
TO-252
Balení
taping
Počet balíků
2500
Popis
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 100V Continuous Drain Current (Id): 110A Power (Pd): 125W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.1mΩ@10V,20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.8V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 65.5nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 3.58nF@50V , Vds=100V Id=110A Rds=4.1mΩ, Working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 72141 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova AGM042N10D
AGM042N10D Elektronické komponenty
AGM042N10D Odbyt
AGM042N10D Dodavatel
AGM042N10D Distributor
AGM042N10D Datová tabulka
AGM042N10D Fotky
AGM042N10D Cena
AGM042N10D Nabídka
AGM042N10D Nejnižší cena
AGM042N10D Vyhledávání
AGM042N10D Nákup
AGM042N10D Chip