AGM-Semi (core control source)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
AGM056N10C
AGM056N10C
Číslo dílu
AGM056N10C
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
AGM-Semi (core control source)
Encapsulation
TO-220
Balení
Tube
Počet balíků
50
Popis
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 100V Continuous Drain Current (Id): 140A Power (Pd): 227W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 5.4mΩ@10V,20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.8V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 56nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 3.65nF@50V, Vds=100V Id=140A Rds=5.4mΩ, working Temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 69939 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova AGM056N10C
AGM056N10C Elektronické komponenty
AGM056N10C Odbyt
AGM056N10C Dodavatel
AGM056N10C Distributor
AGM056N10C Datová tabulka
AGM056N10C Fotky
AGM056N10C Cena
AGM056N10C Nabídka
AGM056N10C Nejnižší cena
AGM056N10C Vyhledávání
AGM056N10C Nákup
AGM056N10C Chip