AGM-Semi (core control source)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
AGM056N10H N-channel 100V 140A 5.1mΩ

AGM056N10H

N-channel 100V 140A 5.1mΩ
Číslo dílu
AGM056N10H
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
AGM-Semi (core control source)
Encapsulation
TO-263
Balení
taping
Počet balíků
800
Popis
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 100V Continuous Drain Current (Id): 140A Power (Pd): 227W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 5.1mΩ@10V,40A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.8V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 56nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 3.6nF@50V, Vds=100V Id=140A Rds=5.1mΩ, working Temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 62817 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova AGM056N10H
AGM056N10H Elektronické komponenty
AGM056N10H Odbyt
AGM056N10H Dodavatel
AGM056N10H Distributor
AGM056N10H Datová tabulka
AGM056N10H Fotky
AGM056N10H Cena
AGM056N10H Nabídka
AGM056N10H Nejnižší cena
AGM056N10H Vyhledávání
AGM056N10H Nákup
AGM056N10H Chip