Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTR1P02T1G
MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23
Číslo dílu
NTR1P02T1G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-23-3 (TO-236)
Ztráta energie (max.)
400mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
180 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
2.5nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
165pF @ 5V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29801 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTR1P02T1G
NTR1P02T1G Elektronické komponenty
NTR1P02T1G Odbyt
NTR1P02T1G Dodavatel
NTR1P02T1G Distributor
NTR1P02T1G Datová tabulka
NTR1P02T1G Fotky
NTR1P02T1G Cena
NTR1P02T1G Nabídka
NTR1P02T1G Nejnižší cena
NTR1P02T1G Vyhledávání
NTR1P02T1G Nákup
NTR1P02T1G Chip