NTR1P02LT1G
MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23
Číslo dílu
NTR1P02LT1G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-23-3 (TO-236)
Ztráta energie (max.)
400mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
220 mOhm @ 750mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.25V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
5.5nC @ 4V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
225pF @ 5V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 18527 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTR1P02LT1G
NTR1P02LT1G Elektronické komponenty
NTR1P02LT1G Odbyt
NTR1P02LT1G Dodavatel
NTR1P02LT1G Distributor
NTR1P02LT1G Datová tabulka
NTR1P02LT1G Fotky
NTR1P02LT1G Cena
NTR1P02LT1G Nabídka
NTR1P02LT1G Nejnižší cena
NTR1P02LT1G Vyhledávání
NTR1P02LT1G Nákup
NTR1P02LT1G Chip