NTR1P02LT3G
MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
Číslo dílu
NTR1P02LT3G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-23-3 (TO-236)
Ztráta energie (max.)
400mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
220 mOhm @ 750mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.25V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
5.5nC @ 4V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
225pF @ 5V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36254 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTR1P02LT3G
NTR1P02LT3G Elektronické komponenty
NTR1P02LT3G Odbyt
NTR1P02LT3G Dodavatel
NTR1P02LT3G Distributor
NTR1P02LT3G Datová tabulka
NTR1P02LT3G Fotky
NTR1P02LT3G Cena
NTR1P02LT3G Nabídka
NTR1P02LT3G Nejnižší cena
NTR1P02LT3G Vyhledávání
NTR1P02LT3G Nákup
NTR1P02LT3G Chip