Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDP55N06

FDP55N06

MOSFET N-CH 60V 55A TO-220
Číslo dílu
FDP55N06
Výrobce/značka
Série
UniFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220-3
Ztráta energie (max.)
114W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
22 mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
37nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1510pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33611 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FDP55N06
FDP55N06 Elektronické komponenty
FDP55N06 Odbyt
FDP55N06 Dodavatel
FDP55N06 Distributor
FDP55N06 Datová tabulka
FDP55N06 Fotky
FDP55N06 Cena
FDP55N06 Nabídka
FDP55N06 Nejnižší cena
FDP55N06 Vyhledávání
FDP55N06 Nákup
FDP55N06 Chip