Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDP52N20

FDP52N20

MOSFET N-CH 200V 52A TO-220
Číslo dílu
FDP52N20
Výrobce/značka
Série
UniFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220-3
Ztráta energie (max.)
357W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
52A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
49 mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
63nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2900pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48449 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FDP52N20
FDP52N20 Elektronické komponenty
FDP52N20 Odbyt
FDP52N20 Dodavatel
FDP52N20 Distributor
FDP52N20 Datová tabulka
FDP52N20 Fotky
FDP52N20 Cena
FDP52N20 Nabídka
FDP52N20 Nejnižší cena
FDP52N20 Vyhledávání
FDP52N20 Nákup
FDP52N20 Chip