Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDP51N25

FDP51N25

MOSFET N-CH 250V 51A TO-220
Číslo dílu
FDP51N25
Výrobce/značka
Série
UniFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220-3
Ztráta energie (max.)
320W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
250V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
51A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
60 mOhm @ 25.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3410pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19493 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FDP51N25
FDP51N25 Elektronické komponenty
FDP51N25 Odbyt
FDP51N25 Dodavatel
FDP51N25 Distributor
FDP51N25 Datová tabulka
FDP51N25 Fotky
FDP51N25 Cena
FDP51N25 Nabídka
FDP51N25 Nejnižší cena
FDP51N25 Vyhledávání
FDP51N25 Nákup
FDP51N25 Chip