Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDP2D3N10C

FDP2D3N10C

MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3
Číslo dílu
FDP2D3N10C
Výrobce/značka
Série
PowerTrench®
Stav sekce
Active
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220-3
Ztráta energie (max.)
214W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
222A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 700µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
152nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
11180pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14686 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FDP2D3N10C
FDP2D3N10C Elektronické komponenty
FDP2D3N10C Odbyt
FDP2D3N10C Dodavatel
FDP2D3N10C Distributor
FDP2D3N10C Datová tabulka
FDP2D3N10C Fotky
FDP2D3N10C Cena
FDP2D3N10C Nabídka
FDP2D3N10C Nejnižší cena
FDP2D3N10C Vyhledávání
FDP2D3N10C Nákup
FDP2D3N10C Chip