Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDP20N50F

FDP20N50F

MOSFET N-CH 500V 20A TO-220
Číslo dílu
FDP20N50F
Výrobce/značka
Série
UniFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220-3
Ztráta energie (max.)
250W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
260 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3390pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 47304 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FDP20N50F
FDP20N50F Elektronické komponenty
FDP20N50F Odbyt
FDP20N50F Dodavatel
FDP20N50F Distributor
FDP20N50F Datová tabulka
FDP20N50F Fotky
FDP20N50F Cena
FDP20N50F Nabídka
FDP20N50F Nejnižší cena
FDP20N50F Vyhledávání
FDP20N50F Nákup
FDP20N50F Chip