Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDP20N50

FDP20N50

MOSFET N-CH 500V 20A TO-220
Číslo dílu
FDP20N50
Výrobce/značka
Série
UniFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
250W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
230 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
59.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3120pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35537 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FDP20N50
FDP20N50 Elektronické komponenty
FDP20N50 Odbyt
FDP20N50 Dodavatel
FDP20N50 Distributor
FDP20N50 Datová tabulka
FDP20N50 Fotky
FDP20N50 Cena
FDP20N50 Nabídka
FDP20N50 Nejnižší cena
FDP20N50 Vyhledávání
FDP20N50 Nákup
FDP20N50 Chip