Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDP22N50N

FDP22N50N

MOSFET N-CH 500V 22A TO-220
Číslo dílu
FDP22N50N
Výrobce/značka
Série
UniFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220-3
Ztráta energie (max.)
312.5W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
220 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3200pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 39436 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FDP22N50N
FDP22N50N Elektronické komponenty
FDP22N50N Odbyt
FDP22N50N Dodavatel
FDP22N50N Distributor
FDP22N50N Datová tabulka
FDP22N50N Fotky
FDP22N50N Cena
FDP22N50N Nabídka
FDP22N50N Nejnižší cena
FDP22N50N Vyhledávání
FDP22N50N Nákup
FDP22N50N Chip