onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTJD4105CT2G
Complementary, Small Signal MOSFETs
Číslo dílu
NTJD4105CT2G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SOT-363
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
This complementary dual device uses a small encapsulation (2 x 2 mm) and low RDS(on) MOSFETs to achieve the smallest footprint and improve circuit efficiency. The low RDS(on) performance is ideal for single-cell or dual-cell Li-ion battery powered devices such as cell phones, media players, digital cameras and PDAs.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 69505 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Dual P-Channel, High Side Load Switch with Level Shift, Power MOSFET, -8V, ±1.3A, 175mΩ
onsemi (Ansemi)
8V Dual P-Channel, High Side Load Switch with Level Shift, Power MOSFET, -8V, ±1.3A, 175mΩ
onsemi (Ansemi)
2 N-Channel 30V 250mA Dual N-Channel Small Signal MOSFET 30V 250mA 1.5Ω
onsemi (Ansemi)
2 N-channel 60V 295mA Dual N?Channel Power MOSFET with ESD Protection 60V, 295mA, 1.6Ω
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova NTJD4105CT2G
NTJD4105CT2G Elektronické komponenty
NTJD4105CT2G Odbyt
NTJD4105CT2G Dodavatel
NTJD4105CT2G Distributor
NTJD4105CT2G Datová tabulka
NTJD4105CT2G Fotky
NTJD4105CT2G Cena
NTJD4105CT2G Nabídka
NTJD4105CT2G Nejnižší cena
NTJD4105CT2G Vyhledávání
NTJD4105CT2G Nákup
NTJD4105CT2G Chip