VBsemi (Wei Bi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTJD4001NT1G-VB
2 N-channel 20V 2.6A
Číslo dílu
NTJD4001NT1G-VB
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
VBsemi (Wei Bi)
Encapsulation
SOT-363
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 65402 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Dual P-Channel, High Side Load Switch with Level Shift, Power MOSFET, -8V, ±1.3A, 175mΩ
onsemi (Ansemi)
8V Dual P-Channel, High Side Load Switch with Level Shift, Power MOSFET, -8V, ±1.3A, 175mΩ
onsemi (Ansemi)
2 N-Channel 30V 250mA Dual N-Channel Small Signal MOSFET 30V 250mA 1.5Ω
onsemi (Ansemi)
2 N-channel 60V 295mA Dual N?Channel Power MOSFET with ESD Protection 60V, 295mA, 1.6Ω
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova NTJD4001NT1G-VB
NTJD4001NT1G-VB Elektronické komponenty
NTJD4001NT1G-VB Odbyt
NTJD4001NT1G-VB Dodavatel
NTJD4001NT1G-VB Distributor
NTJD4001NT1G-VB Datová tabulka
NTJD4001NT1G-VB Fotky
NTJD4001NT1G-VB Cena
NTJD4001NT1G-VB Nabídka
NTJD4001NT1G-VB Nejnižší cena
NTJD4001NT1G-VB Vyhledávání
NTJD4001NT1G-VB Nákup
NTJD4001NT1G-VB Chip