RZF020P01TL
MOSFET P-CH 12V 2A TUMT3
Číslo dílu
RZF020P01TL
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
3-SMD, Flat Leads
Dodavatelský balíček zařízení
TUMT3
Ztráta energie (max.)
800mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
12V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
105 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6.5nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
770pF @ 6V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.5V, 4.5V
VGS (max.)
±10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19131 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RZF020P01TL
RZF020P01TL Elektronické komponenty
RZF020P01TL Odbyt
RZF020P01TL Dodavatel
RZF020P01TL Distributor
RZF020P01TL Datová tabulka
RZF020P01TL Fotky
RZF020P01TL Cena
RZF020P01TL Nabídka
RZF020P01TL Nejnižší cena
RZF020P01TL Vyhledávání
RZF020P01TL Nákup
RZF020P01TL Chip