RZF013P01TL
MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
Číslo dílu
RZF013P01TL
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
3-SMD, Flat Leads
Dodavatelský balíček zařízení
TUMT3
Ztráta energie (max.)
800mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
12V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
260 mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
2.4nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
290pF @ 6V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.5V, 4.5V
VGS (max.)
±10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 31528 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RZF013P01TL
RZF013P01TL Elektronické komponenty
RZF013P01TL Odbyt
RZF013P01TL Dodavatel
RZF013P01TL Distributor
RZF013P01TL Datová tabulka
RZF013P01TL Fotky
RZF013P01TL Cena
RZF013P01TL Nabídka
RZF013P01TL Nejnižší cena
RZF013P01TL Vyhledávání
RZF013P01TL Nákup
RZF013P01TL Chip