Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
RW1E025RPT2CR
MOSFET P-CH 30V 2.5A WEMT6
Číslo dílu
RW1E025RPT2CR
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-563, SOT-666
Dodavatelský balíček zařízení
6-WEMT
Ztráta energie (max.)
700mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
75 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
5.2nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
480pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29555 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RW1E025RPT2CR
RW1E025RPT2CR Elektronické komponenty
RW1E025RPT2CR Odbyt
RW1E025RPT2CR Dodavatel
RW1E025RPT2CR Distributor
RW1E025RPT2CR Datová tabulka
RW1E025RPT2CR Fotky
RW1E025RPT2CR Cena
RW1E025RPT2CR Nabídka
RW1E025RPT2CR Nejnižší cena
RW1E025RPT2CR Vyhledávání
RW1E025RPT2CR Nákup
RW1E025RPT2CR Chip