RW1E014SNT2R
MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
Číslo dílu
RW1E014SNT2R
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-563, SOT-666
Dodavatelský balíček zařízení
6-WEMT
Ztráta energie (max.)
700mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.4A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
240 mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
1.4nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
70pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 17332 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RW1E014SNT2R
RW1E014SNT2R Elektronické komponenty
RW1E014SNT2R Odbyt
RW1E014SNT2R Dodavatel
RW1E014SNT2R Distributor
RW1E014SNT2R Datová tabulka
RW1E014SNT2R Fotky
RW1E014SNT2R Cena
RW1E014SNT2R Nabídka
RW1E014SNT2R Nejnižší cena
RW1E014SNT2R Vyhledávání
RW1E014SNT2R Nákup
RW1E014SNT2R Chip