RUM002N05T2L
MOSFET N-CH 50V 0.2A 3VMT
Číslo dílu
RUM002N05T2L
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-723
Dodavatelský balíček zařízení
VMT3
Ztráta energie (max.)
150mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
50V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
25pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.2V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42794 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RUM002N05T2L
RUM002N05T2L Elektronické komponenty
RUM002N05T2L Odbyt
RUM002N05T2L Dodavatel
RUM002N05T2L Distributor
RUM002N05T2L Datová tabulka
RUM002N05T2L Fotky
RUM002N05T2L Cena
RUM002N05T2L Nabídka
RUM002N05T2L Nejnižší cena
RUM002N05T2L Vyhledávání
RUM002N05T2L Nákup
RUM002N05T2L Chip