RUM001L02T2CL
MOSFET N-CH 20V 0.1A VMT3
Číslo dílu
RUM001L02T2CL
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-723
Dodavatelský balíček zařízení
VMT3
Ztráta energie (max.)
150mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
100mA (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7.1pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.2V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 37125 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RUM001L02T2CL
RUM001L02T2CL Elektronické komponenty
RUM001L02T2CL Odbyt
RUM001L02T2CL Dodavatel
RUM001L02T2CL Distributor
RUM001L02T2CL Datová tabulka
RUM001L02T2CL Fotky
RUM001L02T2CL Cena
RUM001L02T2CL Nabídka
RUM001L02T2CL Nejnižší cena
RUM001L02T2CL Vyhledávání
RUM001L02T2CL Nákup
RUM001L02T2CL Chip