RT1E050RPTR
MOSFET P-CH 30V 5A TSST8
Číslo dílu
RT1E050RPTR
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SMD, Flat Lead
Dodavatelský balíček zařízení
8-TSST
Ztráta energie (max.)
1.25W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
36 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25155 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RT1E050RPTR
RT1E050RPTR Elektronické komponenty
RT1E050RPTR Odbyt
RT1E050RPTR Dodavatel
RT1E050RPTR Distributor
RT1E050RPTR Datová tabulka
RT1E050RPTR Fotky
RT1E050RPTR Cena
RT1E050RPTR Nabídka
RT1E050RPTR Nejnižší cena
RT1E050RPTR Vyhledávání
RT1E050RPTR Nákup
RT1E050RPTR Chip