RT1E040RPTR
MOSFET P-CH 30V 4A TSST8
Číslo dílu
RT1E040RPTR
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SMD, Flat Lead
Dodavatelský balíček zařízení
8-TSST
Ztráta energie (max.)
550mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
45 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1000pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 13286 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RT1E040RPTR
RT1E040RPTR Elektronické komponenty
RT1E040RPTR Odbyt
RT1E040RPTR Dodavatel
RT1E040RPTR Distributor
RT1E040RPTR Datová tabulka
RT1E040RPTR Fotky
RT1E040RPTR Cena
RT1E040RPTR Nabídka
RT1E040RPTR Nejnižší cena
RT1E040RPTR Vyhledávání
RT1E040RPTR Nákup
RT1E040RPTR Chip