Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
RF4E100AJTCR
MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8
Číslo dílu
RF4E100AJTCR
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerUDFN
Dodavatelský balíček zařízení
HUML2020L8
Ztráta energie (max.)
2W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
12.4 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1460pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42524 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RF4E100AJTCR
RF4E100AJTCR Elektronické komponenty
RF4E100AJTCR Odbyt
RF4E100AJTCR Dodavatel
RF4E100AJTCR Distributor
RF4E100AJTCR Datová tabulka
RF4E100AJTCR Fotky
RF4E100AJTCR Cena
RF4E100AJTCR Nabídka
RF4E100AJTCR Nejnižší cena
RF4E100AJTCR Vyhledávání
RF4E100AJTCR Nákup
RF4E100AJTCR Chip