RF4E070GNTR
MOSFET N-CH 30V 7A 8-HUML
Číslo dílu
RF4E070GNTR
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerUDFN
Dodavatelský balíček zařízení
HUML2020L8
Ztráta energie (max.)
2W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
21.4 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
4.8nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
220pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45739 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RF4E070GNTR
RF4E070GNTR Elektronické komponenty
RF4E070GNTR Odbyt
RF4E070GNTR Dodavatel
RF4E070GNTR Distributor
RF4E070GNTR Datová tabulka
RF4E070GNTR Fotky
RF4E070GNTR Cena
RF4E070GNTR Nabídka
RF4E070GNTR Nejnižší cena
RF4E070GNTR Vyhledávání
RF4E070GNTR Nákup
RF4E070GNTR Chip