RF4E070BNTR
MOSFET N-CH 30V 7A 8-HUML
Číslo dílu
RF4E070BNTR
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerUDFN
Dodavatelský balíček zařízení
HUML2020L8
Ztráta energie (max.)
2W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
28.6 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.9nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
410pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 28055 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RF4E070BNTR
RF4E070BNTR Elektronické komponenty
RF4E070BNTR Odbyt
RF4E070BNTR Dodavatel
RF4E070BNTR Distributor
RF4E070BNTR Datová tabulka
RF4E070BNTR Fotky
RF4E070BNTR Cena
RF4E070BNTR Nabídka
RF4E070BNTR Nejnižší cena
RF4E070BNTR Vyhledávání
RF4E070BNTR Nákup
RF4E070BNTR Chip