Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
RF4E080GNTR
MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML
Číslo dílu
RF4E080GNTR
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerUDFN
Dodavatelský balíček zařízení
HUML2020L8
Ztráta energie (max.)
2W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
17.6 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
5.8nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
295pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14469 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RF4E080GNTR
RF4E080GNTR Elektronické komponenty
RF4E080GNTR Odbyt
RF4E080GNTR Dodavatel
RF4E080GNTR Distributor
RF4E080GNTR Datová tabulka
RF4E080GNTR Fotky
RF4E080GNTR Cena
RF4E080GNTR Nabídka
RF4E080GNTR Nejnižší cena
RF4E080GNTR Vyhledávání
RF4E080GNTR Nákup
RF4E080GNTR Chip