Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SSR1N60BTM-WS
MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK
Číslo dílu
SSR1N60BTM-WS
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
900mA (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
12 Ohm @ 450mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
7.7nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
215pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 47053 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SSR1N60BTM-WS
SSR1N60BTM-WS Elektronické komponenty
SSR1N60BTM-WS Odbyt
SSR1N60BTM-WS Dodavatel
SSR1N60BTM-WS Distributor
SSR1N60BTM-WS Datová tabulka
SSR1N60BTM-WS Fotky
SSR1N60BTM-WS Cena
SSR1N60BTM-WS Nabídka
SSR1N60BTM-WS Nejnižší cena
SSR1N60BTM-WS Vyhledávání
SSR1N60BTM-WS Nákup
SSR1N60BTM-WS Chip