Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SSR1N60BTM
MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK
Číslo dílu
SSR1N60BTM
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
900mA (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
12 Ohm @ 450mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
7.7nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
215pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20813 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SSR1N60BTM
SSR1N60BTM Elektronické komponenty
SSR1N60BTM Odbyt
SSR1N60BTM Dodavatel
SSR1N60BTM Distributor
SSR1N60BTM Datová tabulka
SSR1N60BTM Fotky
SSR1N60BTM Cena
SSR1N60BTM Nabídka
SSR1N60BTM Nejnižší cena
SSR1N60BTM Vyhledávání
SSR1N60BTM Nákup
SSR1N60BTM Chip