Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NVMSD6N303R2G
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
Číslo dílu
NVMSD6N303R2G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SOIC
Ztráta energie (max.)
-
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Schottky Diode (Isolated)
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
32 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
950pF @ 24V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
-
VGS (max.)
-
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12518 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NVMSD6N303R2G
NVMSD6N303R2G Elektronické komponenty
NVMSD6N303R2G Odbyt
NVMSD6N303R2G Dodavatel
NVMSD6N303R2G Distributor
NVMSD6N303R2G Datová tabulka
NVMSD6N303R2G Fotky
NVMSD6N303R2G Cena
NVMSD6N303R2G Nabídka
NVMSD6N303R2G Nejnižší cena
NVMSD6N303R2G Vyhledávání
NVMSD6N303R2G Nákup
NVMSD6N303R2G Chip