Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NVMS10P02R2G
MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
Číslo dílu
NVMS10P02R2G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SOIC
Ztráta energie (max.)
-
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
-
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
-
VGS (max.)
-
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14669 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NVMS10P02R2G
NVMS10P02R2G Elektronické komponenty
NVMS10P02R2G Odbyt
NVMS10P02R2G Dodavatel
NVMS10P02R2G Distributor
NVMS10P02R2G Datová tabulka
NVMS10P02R2G Fotky
NVMS10P02R2G Cena
NVMS10P02R2G Nabídka
NVMS10P02R2G Nejnižší cena
NVMS10P02R2G Vyhledávání
NVMS10P02R2G Nákup
NVMS10P02R2G Chip