Koupit ON Semiconductor MVGSF1N03LT1G MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23-3

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

Zobrazit více informací DataSheets

MVGSF1N03LT1G

MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23-3

Číslo dílu

MVGSF1N03LT1G

Výrobce/značka

ON Semiconductor

Série

Stav sekce

Active

Obal

Tape & Reel (TR)

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Dodavatelský balíček zařízení

SOT-23

Ztráta energie (max.)

420mW (Ta)

Typ FET

N-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

30V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

1.6A (Ta)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

100 mOhm @ 1.2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 5V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

4.5V, 10V

VGS (max.)

±20V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 21724 PCS

Kontaktní informace

Související produkty

MVGSF1N02LT1G